Samsung ha iniziato la produzione di massa dei nuovi moduli di memoria da 4Gb (gigabit) realizzati con processo a 20nm. Questa tecnologia permetterà di impilare quattro strati da 512MB uno sopra l'altro per un totale di 2 GB di RAM, ottenendo comunque lo stesso consumo ed ingombro di un attuale modulo di 1 GB.

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